Redigerer Silisiumkarbid (avsnitt)

=== Bruksområde ===

Silisiumkarbid er tenkt brukt i elektroniske komponenter som skal brukes ved høy strøm, høy temperatur, høye frekvenser eller i tøffe, kjemiske miljøer.<ref>{{Kilde www
| url= http://www.nature.com/nature/journal/v430/n7003/full/430974a.html
| tittel= Nature Materials
}}</ref>
Silisiumkarbid egner seg spesielt godt for slik formål på grunn av det store bandgapet og en naturlig kjemisk inerthet mot andre stoffer. Silisium har derimot relativt lite bandgap og reagerer lettere med andre stoffer, som f.eks. syrer og baser.

En stor fordel for silisiumkarbid i forhold til andre halvledere med stort bandgap er at man kan gro et naturlig lag av silisiumdioksid (SiO<sub>2</sub> eller glass), akkurat som hos silisium. Dette er en av hovedgrunnene til at silisium har blitt så utbredt som det er i dag. Dessverre har man hatt problemer med en stor konsentrasjon av elektrisk aktive defekter i grenseflaten mellom silisiumkarbid og SiO<sub>2</sub> som gjør produksjonen av velfungerende MOSFET-transistorer vanskelig.

Et annet stort problem med silisiumkarbid var at stoffet bryter sammen ved høy elektrisk feltstyrke (spenning), noe som er direkte motstridende med ønsket om å lage komponenter for høy strømstyrke. Årsaken var en høy tetthet av dislokasjoner. Dette problemet har antagelig blitt løst ved hjelp av en ny teknikk for vekst av silisiumkarbid.<ref>{{Kilde www
| url= http://www.nature.com/nature/journal/v430/n7003/full/nature02810.html
| tittel= Nature Materials
}}</ref>