Redigerer Silisiumkarbid (avsnitt)

== Til elektroniske formål ==

===Produksjon===

Silisiumkarbid for elektroniske anvendelser skjer ved den såkalte modifiserte Lely-prosessen, der silisiumkarbid-damp kondenserer på en såkorn-krystall med en viss krystallretning. Krystallretningen til såkorn-krystallen arves av resten av krystallen etter hvert som den vokser.

Svært rent krystallinsk silisiumkarbid laget ved hjelp av den modifiserte Lely-prosessen produseres hovedsakelig av det amerikanske firmaet [http://www.cree.com Cree Inc.] som har vært dominerende på dette markedet siden starten i 1987.

=== Struktur ===

Krystallinsk silisiumkarbid kan eksistere i svært mange forskjellige krystallstrukturer, såkalte polytyper. De fleste er imidlertid varianter av heksagonale lag av silisium og karbon i forskjellig rekkefølge etter hverandre, mens der finnes én eneste kubisk polytype. De vanligste heksagonale polytypene kalles 4H og 6H, mens den kubiske polytypen betegnes 3C.

Silisiumkarbid er en [[halvleder]] med relativt stort, indirekte bandgap, der størrelsen varierer litt mellom polytypene. Som eksempel kan nevnes 3C med et bandgap på 2.4 eV, mens 4H og 6H har hhv. 3.0 og 3.3 eV.

=== Bruksområde ===

Silisiumkarbid er tenkt brukt i elektroniske komponenter som skal brukes ved høy strøm, høy temperatur, høye frekvenser eller i tøffe, kjemiske miljøer.<ref>{{Kilde www
| url= http://www.nature.com/nature/journal/v430/n7003/full/430974a.html
| tittel= Nature Materials
}}</ref>
Silisiumkarbid egner seg spesielt godt for slik formål på grunn av det store bandgapet og en naturlig kjemisk inerthet mot andre stoffer. Silisium har derimot relativt lite bandgap og reagerer lettere med andre stoffer, som f.eks. syrer og baser.

En stor fordel for silisiumkarbid i forhold til andre halvledere med stort bandgap er at man kan gro et naturlig lag av silisiumdioksid (SiO<sub>2</sub> eller glass), akkurat som hos silisium. Dette er en av hovedgrunnene til at silisium har blitt så utbredt som det er i dag. Dessverre har man hatt problemer med en stor konsentrasjon av elektrisk aktive defekter i grenseflaten mellom silisiumkarbid og SiO<sub>2</sub> som gjør produksjonen av velfungerende MOSFET-transistorer vanskelig.

Et annet stort problem med silisiumkarbid var at stoffet bryter sammen ved høy elektrisk feltstyrke (spenning), noe som er direkte motstridende med ønsket om å lage komponenter for høy strømstyrke. Årsaken var en høy tetthet av dislokasjoner. Dette problemet har antagelig blitt løst ved hjelp av en ny teknikk for vekst av silisiumkarbid.<ref>{{Kilde www
| url= http://www.nature.com/nature/journal/v430/n7003/full/nature02810.html
| tittel= Nature Materials
}}</ref>